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晶体管
MMRF1312GSR5参考图片

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MMRF1312GSR5

  • NXP / Freescale
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MMRF1312GS/CFM4///REEL 13
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库存:29,802(价格仅供参考)
数量单价合计
50
¥4,089.0406
204452.03
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
NXP
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
2.6 A
Vds-漏源极击穿电压
- 500 mV, 112 V
增益
19.6 dB
输出功率
1 kW
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
NI-1230GS-4L-4
封装
Reel
工作频率
900 MHz to 1.215 GHz
类型
RF Power MOSFET
商标
NXP / Freescale
通道数量
2 Channel
Pd-功率耗散
1.053 kW
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
50
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
- 6 V, 10 V
Vgs th-栅源极阈值电压
1.8 V
零件号别名
935320794178
单位重量
8.518 g
商品其它信息
优势价格,MMRF1312GSR5的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
IGBT 模块 N-CH 1.2KV 40A
20:¥437.6038
40:¥423.5466
60:¥423.4675
100:¥392.4264
参考库存:33690
晶体管
MOSFET
5,000:¥2.7233
10,000:¥2.6216
25,000:¥2.5312
参考库存:33695
晶体管
IGBT 模块 Power Module - IGBT
1:¥567.9267
5:¥550.1744
10:¥533.4278
25:¥509.4492
参考库存:33700
晶体管
MOSFET 20V P-Ch Schottky 650mA 0.47V 0.5A
9,000:¥0.72998
24,000:¥0.66896
45,000:¥0.64523
99,000:¥0.61472
参考库存:186941
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN 180Vcbo 160Vceo 6.0V 600mA 350mW
5,600:¥1.04525
10,500:¥0.97632
25,200:¥0.92208
50,400:¥0.90626
100,100:¥0.86784
参考库存:33707
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

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    明码标价节省时间成本

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