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晶体管
IPP65R110CFDXKSA2参考图片

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IPP65R110CFDXKSA2

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • MOSFET 650V CoolMOS CFD2 is Infineon's second generation of market leading high voltage CoolMOS MOSFETs with integrated fast body diode. The CFD2 devices are the successor of 600V CFD with improved energy efficiency. The softer commutation behavior and ther
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库存：29,577(价格仅供参考)
数量单价合计
500
¥27.3573
13678.65
1,000
¥23.052
23052
2,500
¥21.8994
54748.5
询价数量：
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
650 V
Id-连续漏极电流
31.2 A
Rds On-漏源导通电阻
110 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
3.5 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
118 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
277.8 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
CoolMOS
封装
Tube
系列
CFD2
晶体管类型
1 N-Channel
商标
Infineon Technologies
下降时间
6 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
11 ns
工厂包装数量
500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
68 ns
典型接通延迟时间
16 ns
零件号别名
IPP65R110CFD
商品其它信息
优势价格，IPP65R110CFDXKSA2的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
ZTX792ASTZ
Diodes Incorporated
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP Super E-Line
1:¥8.0682
10:¥6.9043
100:¥5.311
500:¥4.6895
1,000:¥3.7064
参考库存:12598
CSD88539NDT
Texas Instruments
晶体管
MOSFET 60V Dual NCh NexFET Pwr MOSFET
1:¥7.6049
10:¥6.4523
100:¥4.9833
250:¥4.9833
500:¥4.3957
参考库存:11745
CSD17575Q3T
Texas Instruments
晶体管
MOSFET 30V,NCh NexFET Pwr MOSFET
1:¥8.9948
10:¥7.684
100:¥5.8873
250:¥5.8873
500:¥5.198
参考库存:10067
IPP120N08S404AKSA1
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET N-CHANNEL 75/80V
1:¥21.0519
10:¥17.8992
100:¥14.3736
500:¥12.5204
参考库存:3794
TIP121
STMicroelectronics
晶体管
达林顿晶体管 NPN Power Darlington
1:¥6.3732
10:¥5.3449
100:¥3.4465
1,000:¥2.7685
参考库存:18286

  • 海量现货

    50万现货SKU

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