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晶体管
TSM680P06DPQ56 RLG参考图片

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TSM680P06DPQ56 RLG

  • Taiwan Semiconductor
  • 新批次
  • MOSFET -60V, -12A, Dual P- Channel Power MOSFET
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库存:30,414(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥6.9947
6.9947
10
¥6.0681
60.681
100
¥4.7008
470.08
500
¥3.4804
1740.2
2,500
¥2.4521
6130.25
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Taiwan Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PDFN56-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
60 V
Id-连续漏极电流
12 A
Rds On-漏源导通电阻
54 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.2 V
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
16.4 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
3.5 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
晶体管类型
2 P-Channel
商标
Taiwan Semiconductor
正向跨导 - 最小值
8.5 S
下降时间
16.4 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
42.4 ns
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
64.6 ns
典型接通延迟时间
8.3 ns
商品其它信息
优势价格,TSM680P06DPQ56 RLG的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET 75V N Channel Power Mosfet
4,000:¥12.4526
5,000:¥11.9102
参考库存:28163
晶体管
JFET JFET N-Channel Dual
62:¥115.5651
100:¥106.3443
250:¥96.9766
500:¥90.5921
参考库存:28168
晶体管
MOSFET 800V, 6A, Single N- Channel Power MOSFET
4,000:¥7.5371
5,000:¥7.2546
10,000:¥7.0964
参考库存:28173
晶体管
MOSFET N-channel 60 V, 0.0012 Ohm typ., 260 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 package
1:¥24.3628
10:¥20.7468
100:¥17.9783
250:¥17.063
参考库存:1914
晶体管
IGBT 模块 Power Module - IGBT
100:¥1,615.4819
参考库存:28180
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

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