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晶体管
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IRGIB6B60KDPBF

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数量单价合计
1
¥22.7469
22.7469
10
¥19.2891
192.891
100
¥16.7466
1674.66
250
¥15.9104
3977.6
500
¥14.2154
7107.7
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
是
技术
Si
封装 / 箱体
TO-220-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
1.8 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
11 A
Pd-功率耗散
38 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
RC
封装
Tube
高度
16 mm
长度
10.6 mm
宽度
4.8 mm
商标
Infineon Technologies
栅极—射极漏泄电流
100 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
2000
子类别
IGBTs
商标名
TRENCHSTOP
零件号别名
SP001533840
单位重量
2.300 g
商品其它信息
优势价格，IRGIB6B60KDPBF的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
IPB030N08N3 G
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET N-Ch 80V 160A D2PAK-6 OptiMOS 3
1:¥25.1312
10:¥21.357
100:¥18.4416
250:¥17.515
1,000:¥13.2888
2,000:查看
参考库存:25674
DMG1013T-7
Diodes Incorporated
晶体管
MOSFET MOSFET P-CHANNEL SOT-523
1:¥2.2261
10:¥1.5255
100:¥0.63732
1,000:¥0.43844
3,000:¥0.33787
参考库存:541176
APTGT200A120G
Microsemi
晶体管
IGBT 模块 Power Module - IGBT
1:¥1,263.6338
5:¥1,232.4345
10:¥1,202.772
25:¥1,159.0523
参考库存:2788
TPC8407,LQ(S
Toshiba
晶体管
MOSFET N and P Ch 30V FET 9A 1.5W 1190pF
1:¥8.4524
10:¥6.78
100:¥5.2093
500:¥4.5991
2,500:¥3.2205
10,000:查看
参考库存:22305
TSM80N400CF C0G
Taiwan Semiconductor
晶体管
MOSFET 800V, 12A N-Channel Power MOSFET
1:¥31.1993
10:¥27.8884
25:¥25.0521
100:¥22.826
参考库存:12532

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

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    科技智能大仓储

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