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晶体管
IPB47N10SL-26参考图片

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IPB47N10SL-26

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库存:29,078(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥14.8256
14.8256
10
¥12.5995
125.995
100
¥10.0683
1006.83
500
¥8.8366
4418.3
1,000
¥7.2885
7288.5
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-263-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
100 V
Id-连续漏极电流
47 A
Rds On-漏源导通电阻
26 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
175 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
商标名
SIPMOS
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
4.4 mm
长度
10 mm
系列
SIPMOS
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
9.25 mm
商标
Infineon Technologies
下降时间
70 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
100 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
50 ns
典型接通延迟时间
50 ns
零件号别名
IPB47N10SL26ATMA1 IPB47N1SL26XT SP000225701
单位重量
4 g
商品其它信息
优势价格,IPB47N10SL-26的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET Power MOSFET N-Channel
1:¥71.6872
10:¥64.5456
25:¥58.7826
50:¥57.3249
参考库存:17241
晶体管
MOSFET N-CH 500V HEXFET MOSFET
1:¥30.8151
参考库存:30813
晶体管
MOSFET N-Ch Digital
1:¥2.9154
10:¥2.0001
100:¥0.83733
1,000:¥0.56839
3,000:¥0.44522
参考库存:880990
晶体管
MOSFET 1700V 3.7A N-MOSFET Silicon Carbide SiC
1:¥45.6407
10:¥41.2676
25:¥39.3466
100:¥34.1938
250:¥32.657
参考库存:6467
晶体管
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 DC-2.5GHz 45W Gain 16.5dB GaN HEMT
1:¥562.0846
2:¥552.9429
5:¥541.1118
10:¥532.4221
参考库存:4374
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

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