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晶体管

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US6T7TR

  • ROHM Semiconductor
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  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP BIPOLAR 30V 1.5A
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数量单价合计
1
¥4.9946
4.9946
10
¥4.1132
41.132
100
¥2.5086
250.86
1,000
¥1.9323
1932.3
3,000
¥1.6498
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ROHM Semiconductor
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
是
安装风格
SMD/SMT
晶体管极性
PNP
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
30 V
集电极—基极电压 VCBO
30 V
发射极 - 基极电压 VEBO
6 V
最大直流电集电极电流
1.5 A
增益带宽产品fT
280 MHz
最大工作温度
+ 150 C
系列
US6T7
直流电流增益 hFE 最大值
270 at 100 mA, 2 V
高度
0.77 mm
长度
2 mm
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
宽度
1.7 mm
商标
ROHM Semiconductor
直流集电极/Base Gain hfe Min
270
Pd-功率耗散
1000 mW
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
3000
子类别
Transistors
零件号别名
US6T7
商品其它信息
优势价格，US6T7TR的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
SI6441DQ-T1-E3
Vishay / Siliconix
晶体管
MOSFET 30V 8.0A 1.08W
3,000:¥9.831
6,000:¥9.4468
9,000:¥9.0626
参考库存:32348
2N3442
Microsemi
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Transistor
100:¥276.7822
250:¥258.3406
参考库存:32353
APTGT300A120D3G
Microsemi
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IGBT 模块 Power Module - IGBT
100:¥1,266.8656
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PTFB201402FC-V2-R0
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D3S190N65F-U
D3
晶体管
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1,000:¥7.9891
2,500:¥7.4693
5,000:¥7.1868
10,000:¥6.9156
参考库存:32368

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