TSM033NB04CR RLG详细信息_TSM033NB04CR RLG相关参数PDF

晶体管

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数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	Taiwan Semiconductor
产品种类	MOSFET
RoHS	是
技术	Si
安装风格	SMD/SMT
封装 / 箱体	PDFN56-8
通道数量	1 Channel
晶体管极性	N-Channel
Vds-漏源极击穿电压	40 V
Id-连续漏极电流	121 A
Rds On-漏源导通电阻	3.3 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压	2 V
Vgs - 栅极-源极电压	20 V
Qg-栅极电荷	77 nC
最小工作温度	- 55 C
最大工作温度	+ 175 C
Pd-功率耗散	107 W
配置	Single
通道模式	Enhancement
封装	Reel
系列	TSM
晶体管类型	Single N-Channel Power MOSFET
商标	Taiwan Semiconductor
正向跨导 - 最小值	64 S
下降时间	17 ns
产品类型	MOSFET
上升时间	22 ns
工厂包装数量	2500
子类别	MOSFETs
典型关闭延迟时间	35 ns
典型接通延迟时间	7 ns

商品其它信息

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推荐型号

型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
DMTH8012LPSQ-13	Diodes Incorporated	晶体管	PDF数据手册	MOSFET MOSFET BVDSS: 61V-100V	1:¥8.7575 10:¥7.5258 100:¥5.7856 500:¥5.1189 1,000:¥4.0341 2,500:¥4.0341	参考库存:16680
SIRA14DP-T1-GE3	Vishay / Siliconix	晶体管	PDF数据手册	MOSFET 30V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8	1:¥5.2997 10:¥4.3053 100:¥3.2657 500:¥2.7007 1,000:¥2.1583 3,000:¥1.9549	参考库存:29002
STB28N60M2	STMicroelectronics	晶体管	PDF数据手册	MOSFET N-channel 600 V, 0.135 Ohm typ., 22 A MDmesh M2 Power MOSFETs in D2PAK package	1:¥33.2672 10:¥28.2726 100:¥24.5097 250:¥23.278 1,000:¥17.5941 2,000:查看	参考库存:9284
FDC6333C	ON Semiconductor / Fairchild	晶体管	PDF数据手册	MOSFET 30V/-30V N/P	1:¥3.4578 10:¥2.8702 100:¥1.7515 1,000:¥1.356 3,000:¥1.1639	参考库存:61961
GSM-065-240-1-N-0	GaN Systems	晶体管	PDF数据手册	MOSFET 650V, 240A, 6 mOhm, GaN E-Mode Die Evaluation Module	1:¥3,838.158	参考库存:4293