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晶体管
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BSM50GP120

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库存:1,984(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥1,356.00
1356
5
¥1,323.4108
6617.054
10
¥1,290.5278
12905.278
25
¥1,272.4704
31811.76
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 模块
RoHS
产品
IGBT Silicon Modules
配置
Hex
集电极—发射极最大电压 VCEO
1200 V
集电极—射极饱和电压
2.5 V
在25 C的连续集电极电流
80 A
栅极—射极漏泄电流
300 nA
Pd-功率耗散
360 W
封装 / 箱体
EconoPIM3
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 125 C
封装
Tray
高度
17 mm
长度
122 mm
宽度
62 mm
商标
Infineon Technologies
安装风格
Chassis Mount
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
10
子类别
IGBTs
零件号别名
BSM50GP120BOSA1 SP000100379
商品其它信息
优势价格,BSM50GP120的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET 60V P-Ch Enh FET 20Vgss 1.8W
1:¥4.5313
10:¥3.8081
100:¥2.4634
1,000:¥1.9662
3,000:¥1.9662
参考库存:63912
晶体管
MOSFET TRENCH 3.1 30V 7 Ohm NCH
1:¥3.5369
10:¥2.8702
100:¥1.7515
1,000:¥1.356
1,500:¥1.1639
参考库存:14344
晶体管
IGBT 晶体管 600V UltraFast Trench IGBT
1:¥47.0984
10:¥40.0359
100:¥34.6571
250:¥32.883
参考库存:5961
晶体管
MOSFET -20V Vds 8V Vgs TSOP-6
1:¥3.842
10:¥2.6329
100:¥1.7741
500:¥1.4238
3,000:¥0.9831
6,000:查看
参考库存:180148
晶体管
MOSFET P-CH 20V 3A TSMT6
1:¥4.3053
10:¥3.5595
100:¥2.1696
1,000:¥1.6724
3,000:¥1.4238
参考库存:17780
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

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