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US6T4TR

  • ROHM Semiconductor
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  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) BIPOLAR PNP
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数量单价合计
1
¥3.7629
3.7629
10
¥3.1075
31.075
100
¥1.8984
189.84
1,000
¥1.469
1469
3,000
¥1.2543
3762.9
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ROHM Semiconductor
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
是
安装风格
SMD/SMT
晶体管极性
PNP
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
12 V
集电极—基极电压 VCBO
15 V
发射极 - 基极电压 VEBO
6 V
最大直流电集电极电流
3 A
增益带宽产品fT
280 MHz
最大工作温度
+ 150 C
系列
US6T4
直流电流增益 hFE 最大值
270 at 500 mA, 2 V
高度
0.77 mm
长度
2 mm
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
宽度
1.7 mm
商标
ROHM Semiconductor
直流集电极/Base Gain hfe Min
270
Pd-功率耗散
1000 mW
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
3000
子类别
Transistors
零件号别名
US6T4
商品其它信息
优势价格，US6T4TR的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
TSM60N600CI
Taiwan Semiconductor
晶体管
MOSFET Power MOSFET, N-CHAN 600V, 8A, 600mOhm
4,000:¥7.2998
5,000:¥7.0286
10,000:¥6.8817
参考库存:33283
2N4236
Microsemi
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Power BJT
100:¥261.4142
250:¥244.0461
参考库存:33288
MG12300D-BN2MM
Littelfuse
晶体管
IGBT 模块 1200V 300A Dual 150TVj
1:¥1,475.328
5:¥1,436.908
10:¥1,410.7824
25:¥1,364.6784
参考库存:33293
CZT2955 TR
Central Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP Power
2,000:¥4.9155
10,000:¥4.7234
参考库存:26534
A3T23H450W23SR6
NXP Semiconductors
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 A3T23H450W23S/CFM6F///REEL 13 Q2 NDP
1:¥1,069.8388
5:¥1,048.866
10:¥999.9935
25:¥978.9416
100:¥929.99
150:¥865.1393
参考库存:7286

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