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晶体管
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FF400R07A01E3S6XKSA2

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数量单价合计
1
¥1,084.9808
1084.9808
5
¥1,063.6916
5318.458
10
¥1,014.062
10140.62
25
¥992.7728
24819.32
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 模块
配置
Dual
集电极—发射极最大电压 VCEO
700 V
集电极—射极饱和电压
1.65 V
在25 C的连续集电极电流
400 A
栅极—射极漏泄电流
400 nA
Pd-功率耗散
1500 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
封装
Tube
商标
Infineon Technologies
安装风格
Through Hole
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
1
子类别
IGBTs
零件号别名
FF400R07A01E3_S6 SP001661226
商品其它信息
优势价格，FF400R07A01E3S6XKSA2的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
DCP69A-13
Diodes Incorporated
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 1W -20V
2,500:¥1.00683
参考库存:142076
SPA17N80C3
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET N-Ch 800V 17A TO220FP-3 CoolMOS C3
1:¥37.2674
10:¥31.6626
100:¥27.4364
250:¥26.0465
500:¥23.3571
参考库存:42063
APT40GL120JU2
Microsemi
晶体管
IGBT 模块 Power Module - IGBT
1:¥276.3189
5:¥265.5613
10:¥255.5721
25:¥234.8253
参考库存:4830
BCX 71H E6327
Infineon Technologies
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP Silicon AF TRANSISTOR
1:¥1.6159
10:¥1.469
100:¥0.52206
1,000:¥0.34578
3,000:¥0.26894
参考库存:193592
DMG3406L-13
Diodes Incorporated
晶体管
MOSFET 30V N-Ch Enh Mode 50mOhm 10V 3.6A
1:¥3.1527
10:¥2.0566
100:¥0.88366
1,000:¥0.67574
10,000:¥0.46104
20,000:查看
参考库存:4889

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

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  • 闪电发货

    科技智能大仓储

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