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晶体管
DXTN3C60PS-13参考图片

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DXTN3C60PS-13

  • Diodes Incorporated
  • 新批次
  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) SS Low Sat Transistor
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库存:38,600(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥6.6105
6.6105
10
¥5.5031
55.031
100
¥3.5482
354.82
1,000
¥2.8476
2847.6
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
晶体管极性
NPN
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
60 V
集电极—基极电压 VCBO
60 V
发射极 - 基极电压 VEBO
7 V
集电极—射极饱和电压
270 mV
最大直流电集电极电流
8 A
增益带宽产品fT
140 MHz
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
DXTN3C60
商标
Diodes Incorporated
集电极连续电流
3 A
Pd-功率耗散
5 W
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
2500
子类别
Transistors
商品其它信息
优势价格,DXTN3C60PS-13的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
IGBT 晶体管 650V 15A IGBT Stop Trench
1:¥14.1363
10:¥12.0684
100:¥9.605
500:¥8.4524
1,000:¥6.9721
参考库存:6942
晶体管
MOSFET N-Ch 30V TrenchMOS logic level FET
1:¥3.6838
10:¥3.051
100:¥1.8645
1,000:¥1.4351
1,500:¥1.4351
参考库存:33444
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 SS GP XSTR SPCL TR
1:¥2.8476
10:¥1.9097
100:¥0.79891
1,000:¥0.54579
10,000:¥0.3616
20,000:查看
参考库存:150621
晶体管
JFET Leaded JFET General Purpose
1:¥25.199
10:¥22.5096
100:¥20.5208
250:¥18.5207
参考库存:5298
晶体管
MOSFET 600V 6.5A N-Chan FRFET UniFET
1:¥12.7577
10:¥10.8367
100:¥8.6784
500:¥7.5936
参考库存:8245
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

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    明码标价节省时间成本

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