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晶体管
DMN2004DWKQ-7参考图片

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DMN2004DWKQ-7

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库存:425,997(价格仅供参考)
数量单价合计
3,000
¥0.82264
2467.92
9,000
¥0.7684
6915.6
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
MOSFET
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-363-6
通道数量
2 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
20 V
Id-连续漏极电流
540 mA
Rds On-漏源导通电阻
400 mOhms, 400 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
500 mV
Vgs - 栅极-源极电压
8 V
Qg-栅极电荷
950 pC, 950 pC
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
200 mW
配置
Dual
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
封装
Reel
系列
DMN2004D
晶体管类型
2 N-Channel
商标
Diodes Incorporated
正向跨导 - 最小值
200 mS, 200 mS
下降时间
10.5 ns, 10.5 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
7.3 ns, 7.3 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
13.8 ns, 13.8 ns
典型接通延迟时间
4.1 ns, 4.1 ns
商品其它信息
优势价格,DMN2004DWKQ-7的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET 40V 17.3A 7.14W AEC-Q101 Qualified
1:¥22.826
10:¥18.984
100:¥14.7578
500:¥12.9046
1,000:¥10.6785
2,500:¥10.6785
参考库存:63435
晶体管
MOSFET -20V Vds; +/-8V Vgs PowerPAK SC-70-6L
1:¥4.6104
10:¥3.5143
100:¥2.6103
500:¥2.147
3,000:¥1.5142
6,000:查看
参考库存:19452
晶体管
MOSFET 600V Vds 30V Vgs PowerPAK 8 x 8
1:¥49.4036
10:¥40.9512
100:¥33.7305
250:¥32.657
3,000:¥23.5153
参考库存:8464
晶体管
MOSFET Automotive-grade N-channel 60 V, 32 mOhm typ., 24 A STripFET II Power MOSFET in a DPAK package
1:¥6.3054
10:¥5.3788
100:¥4.1358
500:¥3.6612
参考库存:9926
晶体管
MOSFET MV POWER MOS
1:¥10.9158
10:¥9.2999
100:¥7.1868
500:¥6.3506
2,500:¥4.4409
10,000:查看
参考库存:50553
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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