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晶体管
DMN24H11DSQ-7参考图片

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DMN24H11DSQ-7

  • Diodes Incorporated
  • 新批次
  • MOSFET MOSFET BVDSS: 101V-250V
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数量单价合计
1
¥3.4578
3.4578
10
¥2.9154
29.154
100
¥1.7854
178.54
1,000
¥1.3786
1378.6
3,000
¥1.1752
3525.6
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
MOSFET
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-23-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
240 V
Id-连续漏极电流
270 mA
Rds On-漏源导通电阻
11 Ohms
Vgs th-栅源极阈值电压
1 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
3.7 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
1.2 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
商标
Diodes Incorporated
下降时间
102.3 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
4.7 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
17.5 ns
典型接通延迟时间
4.8 ns
单位重量
6 mg
商品其它信息
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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参考库存:33449

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    50万现货SKU

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