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晶体管
DMN62D1LFB-7B参考图片

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DMN62D1LFB-7B

  • Diodes Incorporated
  • 新批次
  • MOSFET MOSFET BVDSS: 41V~60V X1-DFN1006-3 T&R 10K
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数量单价合计
1
¥3.0736
3.0736
10
¥1.9549
19.549
100
¥0.83733
83.733
1,000
¥0.64523
645.23
2,500
¥0.49155
1228.875
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
X1-DFN1006-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
60 V
Id-连续漏极电流
320 mA
Rds On-漏源导通电阻
2 Ohms
Vgs th-栅源极阈值电压
600 mV
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
0.9 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
0.5 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
商标
Diodes Incorporated
下降时间
16.3 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
3.4 ns
工厂包装数量
10000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
26.4 ns
典型接通延迟时间
3.4 ns
单位重量
1 mg
商品其它信息
优势价格,DMN62D1LFB-7B的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
IGBT 模块 IGBT Module 50A 1200V
1:¥799.5993
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1:¥3.0736
10:¥2.0001
100:¥0.86106
1,000:¥0.66105
3,000:¥0.49946
参考库存:20057
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 PNP 50V 100MA
1:¥1.4577
10:¥1.2882
100:¥0.45313
1,000:¥0.30736
3,000:¥0.23052
参考库存:33694
晶体管
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1:¥13.673
10:¥11.6051
100:¥9.2999
500:¥8.1473
1,000:¥6.7574
参考库存:76486
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 200MW 2.2K 10K
1:¥2.2261
10:¥1.5255
100:¥0.63732
1,000:¥0.43844
3,000:¥0.33787
参考库存:47373
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

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    保证原装正品

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