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晶体管
ZTX1149ASTZ参考图片

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ZTX1149ASTZ

  • Diodes Incorporated
  • 新批次
  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP High Gain & Crnt
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库存:34,886(价格仅供参考)
数量单价合计
2,000
¥3.7064
7412.8
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-92-3
晶体管极性
PNP
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
- 25 V
集电极—基极电压 VCBO
- 30 V
发射极 - 基极电压 VEBO
- 5 V
集电极—射极饱和电压
- 200 mV
最大直流电集电极电流
3 A
增益带宽产品fT
135 MHz
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
ZTX1149
直流电流增益 hFE 最大值
270 at 10 mA, 2 V
高度
4.01 mm
长度
4.77 mm
封装
Bulk
宽度
2.41 mm
商标
Diodes Incorporated
集电极连续电流
- 3 A
直流集电极/Base Gain hfe Min
270 at 10 mA, 2 V, 250 at 500 mA, 2 V, 195 at 2 A, 2 V, 115 at 5 A, 2 V
Pd-功率耗散
1 W
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
2000
子类别
Transistors
单位重量
453.600 mg
商品其它信息
优势价格,ZTX1149ASTZ的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Small-Signal BJT
1:¥194.6312
5:¥184.8793
10:¥180.0316
25:¥165.432
参考库存:29409
晶体管
MOSFET 10V Drive Nch MOSFET
1:¥46.104
10:¥39.1884
100:¥33.9678
250:¥32.2728
450:¥28.8941
参考库存:29414
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 60V NPN BIP hFE 100-220
1:¥6.7574
10:¥5.7743
100:¥4.4296
500:¥3.9211
参考库存:29419
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF PWR N-Ch MOS 150W 14dB 175MHz
1:¥544.3323
5:¥534.3431
10:¥520.5119
25:¥510.2967
参考库存:29424
晶体管
MOSFET 60V 11A N Channel Power Mosfet
2,500:¥1.3899
5,000:¥1.3899
10,000:¥1.356
25,000:¥1.3108
参考库存:29429
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

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