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晶体管
STGWA30H60DFB参考图片

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STGWA30H60DFB

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 Trench gate field-stop IGBT, HB series 600 V, 30 A high speed
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库存:34,721(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥24.747
24.747
10
¥20.9728
209.728
100
¥18.2156
1821.56
250
¥17.289
4322.25
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
IGBT 晶体管
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
1.55 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
60 A
Pd-功率耗散
260 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
STGWA30H60DFB
商标
STMicroelectronics
栅极—射极漏泄电流
250 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
600
子类别
IGBTs
商品其它信息
优势价格,STGWA30H60DFB的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) DVR NPN 50V 3A
1:¥7.0738
10:¥5.8421
100:¥3.7629
1,000:¥3.0171
2,500:¥2.5425
参考库存:28161
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Power BJT
100:¥93.4397
250:¥85.2133
500:¥79.6876
1,000:¥73.0771
参考库存:28166
晶体管
IGBT 晶体管 600V IGBT, TO-3P
1:¥39.1093
10:¥34.8831
25:¥31.4253
50:¥29.9676
参考库存:28171
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 TRANS W/ BLT-IN RES GL WNG 2.9x2.8mm
3,000:¥0.47686
9,000:¥0.42262
24,000:¥0.40002
45,000:¥0.34578
参考库存:28176
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Power BJT
1:¥299.0658
5:¥285.6188
10:¥276.7031
25:¥254.2613
参考库存:28181
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

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