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晶体管
DMTH10H010SPS-13参考图片

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DMTH10H010SPS-13

  • Diodes Incorporated
  • 新批次
  • MOSFET MOSFET BVDSS: 61V-100V
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数量单价合计
1
¥9.2208
9.2208
10
¥7.91
79.1
100
¥6.0229
602.29
500
¥5.3223
2661.15
1,000
¥4.2036
4203.6
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
MOSFET
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PowerDI5060-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
100 V
Id-连续漏极电流
123 A
Rds On-漏源导通电阻
8.8 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
56.4 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
166 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
系列
DMTH10H010
商标
Diodes Incorporated
下降时间
29.5 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
22.5 ns
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
44.8 ns
典型接通延迟时间
18.6 ns
单位重量
97 mg
商品其它信息
优势价格，DMTH10H010SPS-13的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
BC337-40-AP
Micro Commercial Components (MCC)
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN -0.8A 0.625W
1:¥3.616
10:¥2.034
100:¥1.09158
500:¥0.87575
20,000:¥0.43053
40,000:查看
参考库存:73966
IPA60R380C6
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET N-Ch 600V 10.6A TO220FP-3 CoolMOS C6
1:¥14.1363
10:¥11.9893
100:¥9.605
500:¥8.3733
1,000:¥6.9947
参考库存:2973
R5021ANX
ROHM Semiconductor
晶体管
MOSFET Silicon N-channel MOSFET, 10V Drive, N-Channel, Contains G-S protection diode, Low on-resistance, Fast switching, Wide SOA
1:¥20.6677
10:¥17.5941
100:¥15.2098
250:¥14.4414
500:¥12.9837
参考库存:3565
BSZ340N08NS3GATMA1
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET N-Ch 80V 23A TSDSON-8 OptiMOS 3
1:¥4.6104
10:¥3.8759
100:¥2.4973
1,000:¥2.0001
5,000:¥1.695
参考库存:32802
IRG4PF50WDPBF
Infineon Technologies
晶体管
IGBT 晶体管 900V Warp 20-100kHz
1:¥64.9298
10:¥58.7035
25:¥55.935
100:¥48.5674
参考库存:4659

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    50万现货SKU

    品类不断扩充

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