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晶体管

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DMN2990UDJQ-7

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数量单价合计
1
¥3.2996
3.2996
10
¥2.5538
25.538
100
¥1.3786
137.86
1,000
¥1.03734
1037.34
2,500
¥0.89948
2248.7
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-963-6
通道数量
2 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
20 V
Id-连续漏极电流
450 mA
Rds On-漏源导通电阻
600 mOhms, 600 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
400 mV
Vgs - 栅极-源极电压
8 V
Qg-栅极电荷
500 pC, 500 pC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
350 mW
配置
Dual
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
封装
Reel
晶体管类型
2 N-Channel
商标
Diodes Incorporated
正向跨导 - 最小值
180 ms, 180 ms
下降时间
6.4 ns, 6.4 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
3.3 ns, 3.3 ns
工厂包装数量
10000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
19 ns, 19 ns
典型接通延迟时间
4 ns, 4 ns
单位重量
27 mg
商品其它信息
优势价格，DMN2990UDJQ-7的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
MSC2712GT1G
ON Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 100mA 60V NPN
1:¥1.3108
10:¥1.1865
100:¥0.42262
1,000:¥0.28476
3,000:¥0.2147
参考库存:166418
ULN2004AD
Texas Instruments
晶体管
达林顿晶体管 Hi V & A Darlington
1:¥5.763
10:¥4.7686
100:¥3.0849
1,000:¥2.4747
参考库存:13415
FQA10N80C-F109
ON Semiconductor / Fairchild
晶体管
MOSFET 800V N-Ch QFET Advance
1:¥26.5098
10:¥22.5096
100:¥19.5151
250:¥18.5207
参考库存:5452
KSA992FBTA
ON Semiconductor / Fairchild
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP Epitaxial Xsistr
1:¥1.695
10:¥1.1526
100:¥0.48364
1,000:¥0.32996
2,000:¥0.26103
参考库存:79704
FJ3303010L
Panasonic
晶体管
MOSFET SM SIG MOS FET FLT LD 1.2x1.2mm
1:¥3.6838
10:¥2.0566
100:¥1.09158
500:¥0.91417
10,000:¥0.41471
20,000:查看
参考库存:235621

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

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