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晶体管
DMP2010UFG-13参考图片

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DMP2010UFG-13

  • Diodes Incorporated
  • 新批次
  • MOSFET 20V P-Ch Enh FET 10Vgss -80A Idm
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3,000
¥2.5764
7729.2
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PowerDI3333-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
20 V
Id-连续漏极电流
42 A
Rds On-漏源导通电阻
12.5 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
400 mV
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
103 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
900 mW
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Reel
系列
DMP2010
商标
Diodes Incorporated
下降时间
110 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
30 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
235 ns
典型接通延迟时间
9.7 ns
单位重量
72 mg
商品其它信息
优势价格，DMP2010UFG-13的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
PEMB24,115
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10:¥7.2207
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500:¥4.8929
800:¥3.8646
参考库存:26909

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