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晶体管
TK49N65W,S1F(S参考图片

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TK49N65W,S1F(S

  • Toshiba
  • 新批次
  • MOSFET Power MOSFET 49.2A 400W 650V
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数量单价合计
1
¥88.0609
88.0609
10
¥79.2243
792.243
25
¥72.2296
1805.74
100
¥65.1558
6515.58
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Toshiba
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-247-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
650 V
Id-连续漏极电流
49.2 A
Rds On-漏源导通电阻
55 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2.5 V
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
Qg-栅极电荷
160 nC
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
400 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Tube
系列
TK49N65W
商标
Toshiba
下降时间
10 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
70 ns
工厂包装数量
30
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
270 ns
典型接通延迟时间
130 ns
商品其它信息
优势价格,TK49N65W,S1F(S的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) BIP NPN 70MA 10V FT=1.5G
1:¥3.4578
10:¥2.4408
100:¥1.12209
1,000:¥0.86106
8,000:¥0.66896
24,000:查看
参考库存:77039
晶体管
MOSFET SMALL SIGNAL+N-CH
1:¥4.3844
10:¥3.6499
100:¥2.2261
1,000:¥1.7176
3,000:¥1.469
参考库存:36001
晶体管
达林顿晶体管 Eight NPN Array
1:¥8.3733
10:¥7.0964
100:¥5.4579
500:¥4.8251
参考库存:16323
晶体管
MOSFET 150V 1 x N-CH HEXFET for Digital Audio
1:¥14.9047
10:¥12.6786
100:¥10.1474
500:¥8.8366
4,800:¥6.5992
9,600:查看
参考库存:21575
晶体管
IGBT 晶体管 20 A - 600 V - short circuit rugged IGBT
1:¥16.2155
10:¥13.8312
100:¥11.0627
500:¥9.6841
参考库存:11922
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

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    明码标价节省时间成本

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