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晶体管
DMP10H4D2S-13参考图片

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DMP10H4D2S-13

  • Diodes Incorporated
  • 新批次
  • MOSFET P-Ch Enh Mode FET 100V 20Vgss 87pF
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数量单价合计
10,000
¥0.56048
5604.8
20,000
¥0.52997
10599.4
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-23-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
100 V
Id-连续漏极电流
270 mA
Rds On-漏源导通电阻
4.2 Ohms
Vgs th-栅源极阈值电压
2.3 V
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
1.8 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
380 mW
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Reel
高度
0.975 mm
长度
2.9 mm
系列
DMP10
宽度
1.3 mm
商标
Diodes Incorporated
下降时间
4.9 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
2.6 ns
工厂包装数量
10000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
8.4 ns
典型接通延迟时间
3.3 ns
单位重量
8 mg
商品其它信息
优势价格，DMP10H4D2S-13的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
2N5398
InterFET
晶体管
JFET N-Ch -25V JFET 10mA 300mW 10mA 1.7mW
1:¥75.3823
10:¥61.7771
100:¥51.3246
500:¥46.7933
参考库存:29202
J176
InterFET
晶体管
JFET JFET P-Channel
1:¥32.1146
10:¥25.8205
100:¥21.2101
500:¥19.0518
参考库存:29207
ZXTP03200BZTA
Diodes Incorporated
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 200V PNP Low Vce 2A Ic 160mV Vce 2.4W
1:¥6.3054
10:¥5.3788
100:¥4.1358
500:¥3.6612
1,000:¥2.8815
参考库存:14642
BUK7Y25-60EX
Nexperia
晶体管
MOSFET N-channel 80 V 14 mo FET
1:¥4.5313
10:¥3.729
100:¥2.4069
1,000:¥1.9323
1,500:¥1.6272
参考库存:19644
BUK9604-40A,118
Nexperia
晶体管
MOSFET TAPE13 MOSFET
800:¥6.2037
4,800:¥6.2037
9,600:¥5.9664
参考库存:29216

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

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