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晶体管

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FD300R12KE3

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数量单价合计
1
¥920.2381
920.2381
5
¥902.1016
4510.508
10
¥860.0656
8600.656
25
¥842.0082
21050.205
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 模块
RoHS
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
1200 V
集电极—射极饱和电压
1.7 V
在25 C的连续集电极电流
300 A
栅极—射极漏泄电流
400 nA
Pd-功率耗散
1470 W
封装 / 箱体
IS5a ( 62 mm )-5
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 125 C
封装
Tray
高度
30.9 mm
长度
106.4 mm
宽度
61.4 mm
商标
Infineon Technologies
安装风格
Chassis Mount
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
10
子类别
IGBTs
零件号别名
FD300R12KE3HOSA1 SP000083496
商品其它信息
优势价格,FD300R12KE3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET MOSFET SOT1220
暂无价格
参考库存:31863
晶体管
MOSFET 150V Dual N&P Chnl PowerTrench MOSFET
1:¥13.221
10:¥11.2209
100:¥8.9948
500:¥7.8422
3,000:¥6.0907
6,000:查看
参考库存:31868
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) BCM847QAS DFN1010B-6
1:¥2.9154
10:¥2.2148
100:¥1.1978
1,000:¥0.89948
参考库存:31873
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1:¥210.3834
5:¥202.1683
10:¥194.5634
25:¥178.8112
参考库存:31878
晶体管
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1:¥32.5779
10:¥27.6624
100:¥24.0464
250:¥22.826
5,000:¥15.7522
参考库存:31883
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

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  • 闪电发货

    科技智能大仓储

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