NSBA114EDXV6T1G详细信息_NSBA114EDXV6T1G相关参数PDF

晶体管

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数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	ON Semiconductor
产品种类	双极晶体管 - 预偏置
RoHS	是
配置	Dual
晶体管极性	PNP
典型输入电阻器	10 kOhms
典型电阻器比率	1
安装风格	SMD/SMT
封装 / 箱体	SOT-563-6
直流集电极/Base Gain hfe Min	35
集电极—发射极最大电压 VCEO	50 V
集电极连续电流	- 0.1 A
峰值直流集电极电流	100 mA
Pd-功率耗散	357 mW
最小工作温度	- 55 C
最大工作温度	+ 150 C
系列	NSBA114EDXV6
封装	Reel
直流电流增益 hFE 最大值	35
高度	0.55 mm
长度	1.6 mm
宽度	1.2 mm
商标	ON Semiconductor
产品类型	BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased
工厂包装数量	4000
子类别	Transistors
单位重量	3 mg

商品其它信息

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推荐型号

型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
MSD601-RT1G	ON Semiconductor	晶体管	PDF数据手册	双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 100mA 60V NPN	1:¥1.07576 10:¥0.9605 100:¥0.33787 1,000:¥0.23052 3,000:¥0.17628	参考库存:29351
FP20R06W1E3_B11	Infineon Technologies	晶体管	PDF数据手册	IGBT 模块 IGBT Module 20A 600V	1:¥255.0297 5:¥252.4194 10:¥235.2095 25:¥224.6779	参考库存:1348
BC546CTA	ON Semiconductor / Fairchild	晶体管	PDF数据手册	双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN 65V 100mA HFE/800	1:¥1.7628 10:¥1.1639 100:¥0.48364 1,000:¥0.32996 2,000:¥0.26103	参考库存:49755
MMBT3416LT3G	ON Semiconductor	晶体管	PDF数据手册	双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 40 V NPN Bipolar Transistor	1:¥1.07576 10:¥0.94468 100:¥0.33787 1,000:¥0.22261 10,000:¥0.14577 20,000:查看	参考库存:228407
KSA708YTA	ON Semiconductor / Fairchild	晶体管	PDF数据手册	双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP Epitaxial Transistor	1:¥2.6103 10:¥1.7402 100:¥0.72998 1,000:¥0.49946 2,000:¥0.39211	参考库存:63699