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晶体管
IPB054N06N3GATMA1参考图片

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IPB054N06N3GATMA1

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch 60V 80A D2PAK-2 OptiMOS 3
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数量单价合计
1
¥10.9836
10.9836
10
¥9.379
93.79
100
¥7.2207
722.07
500
¥6.3732
3186.6
1,000
¥5.0285
5028.5
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-263-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
60 V
Id-连续漏极电流
80 A
Rds On-漏源导通电阻
4.4 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
82 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
115 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
OptiMOS
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
4.4 mm
长度
10 mm
系列
OptiMOS 3
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
9.25 mm
商标
Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值
47 S
下降时间
9 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
68 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
32 ns
典型接通延迟时间
24 ns
零件号别名
G IPB054N06N3 IPB54N6N3GXT SP000446782
单位重量
4 g
商品其它信息
优势价格，IPB054N06N3GATMA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
BSC0911ND
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET N-Ch 25V 40A TISON-8
1:¥12.6786
10:¥10.7576
100:¥8.6106
500:¥7.571
5,000:¥5.6274
10,000:查看
参考库存:25866
TK65A10N1,S4X
Toshiba
晶体管
MOSFET MOSFET NCh 4ohm VGS10V10uAVDS100V
1:¥24.747
10:¥19.8993
100:¥17.8992
500:¥13.9894
参考库存:1558
SPP11N80C3XK
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET N-Ch 800V 11A TO220-3 CoolMOS C3
1:¥20.9728
10:¥17.8314
100:¥14.2154
500:¥12.4526
参考库存:3545
DMTH6004LPS-13
Diodes Incorporated
晶体管
MOSFET 60V N-Ch Enh FET 60Vdss 20Vgss 100A
1:¥11.9102
10:¥10.0683
100:¥8.0682
500:¥7.0512
1,000:¥5.8421
2,500:¥5.8421
参考库存:13522
NTZD3154NT1G
ON Semiconductor
晶体管
MOSFET 20V 540mA Dual N-Channel w/ESD
1:¥3.0736
10:¥2.034
100:¥0.87575
1,000:¥0.66896
4,000:¥0.50737
参考库存:112549

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

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    明码标价节省时间成本

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