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晶体管
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AFT20S015NR1

  • NXP / Freescale
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 AF 1.8-2.7G 15W TO270-2
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500
¥156.0643
78032.15
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
NXP
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
是
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
133 mA
Vds-漏源极击穿电压
65 V
增益
17.6 dB
输出功率
1.5 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-270-2
封装
Reel
配置
Single
工作频率
2111 MHz to 2170 MHz
系列
AFT20S015N
类型
RF Power MOSFET
商标
NXP / Freescale
湿度敏感性
Yes
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
500
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
12 V
Vgs th-栅源极阈值电压
2 V
零件号别名
935321859528
单位重量
529.550 mg
商品其它信息
优势价格，AFT20S015NR1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
IPD90N04S4-03
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET N-Ch 40V 90A DPAK-2 OptiMOS-T2
1:¥8.7575
10:¥7.4806
100:¥5.7404
500:¥5.0737
2,500:¥3.5482
10,000:查看
参考库存:29982
PBSS4041NT,215
Nexperia
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双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) BISS Transistor Load Switch
1:¥3.616
10:¥2.7233
100:¥1.4803
1,000:¥1.10627
3,000:¥0.95259
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TIP42B
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双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP 80Vcbo 80Vceo 5.0Vebo 65W
1:¥8.7575
10:¥7.1416
100:¥5.9551
500:¥4.5991
1,000:¥4.1471
参考库存:11066
MMRF1004NR1
NXP / Freescale
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MOSFET 1600-2200 MHz 10 W 28 V
1:¥229.7516
5:¥219.6042
10:¥211.9202
25:¥184.9584
参考库存:7168
CSD25485F5T
Texas Instruments
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MOSFET 20v P-Channel FemtoFet
1:¥3.3787
10:¥2.8476
100:¥1.7176
250:¥1.7176
1,000:¥1.3221
参考库存:12825

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    50万现货SKU

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