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晶体管
NGTB50N60FWG参考图片

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NGTB50N60FWG

  • ON Semiconductor
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 600V/50A IGBT NPT TO-247
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库存:5,099(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥48.4092
48.4092
10
¥41.1094
411.094
100
¥35.6515
3565.15
250
¥33.8096
8452.4
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
1.45 V
栅极/发射极最大电压
30 V
在25 C的连续集电极电流
100 A
Pd-功率耗散
223 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
NGTB50N60FWG
封装
Tube
商标
ON Semiconductor
栅极—射极漏泄电流
200 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
30
子类别
IGBTs
单位重量
6.500 g
商品其它信息
优势价格,NGTB50N60FWG的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Small-Signal BJT
1:¥167.5903
10:¥152.3692
25:¥140.9223
50:¥133.3174
参考库存:1967
晶体管
MOSFET Dual MOSFET ARRAY Vt=2.60V
1:¥30.51
10:¥27.2782
25:¥24.5888
50:¥23.8995
参考库存:2779
晶体管
MOSFET 600V Power MOSFET Superjunction N-chan
1:¥17.8992
10:¥16.2155
100:¥13.0628
500:¥10.1474
2,500:¥7.8422
5,000:查看
参考库存:1706
晶体管
MOSFET N-channel 100 V 4.8 mo FET
1:¥21.357
10:¥18.1365
100:¥15.6731
250:¥14.9047
800:¥11.30
2,400:查看
参考库存:100623
晶体管
MOSFET N-channel 600 V, 0.389 Ohm typ., 7 A MDmesh M2 EP Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 HV package
1:¥17.2099
10:¥14.5996
100:¥11.6842
500:¥10.2152
3,000:¥7.8422
6,000:查看
参考库存:2660
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

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