NUS2401SNT1G详细信息_NUS2401SNT1G相关参数PDF

晶体管

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数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	ON Semiconductor
产品种类	双极晶体管 - 预偏置
RoHS	是
配置	Triple
晶体管极性	PNP
典型输入电阻器	175 Ohms
典型电阻器比率	1
安装风格	SMD/SMT
封装 / 箱体	SC-74-6
直流集电极/Base Gain hfe Min	150
集电极—发射极最大电压 VCEO	50 V
集电极连续电流	0.2 A
峰值直流集电极电流	200 mA
Pd-功率耗散	350 mW
最小工作温度	- 55 C
最大工作温度	+ 150 C
系列	NUS2401
封装	Reel
直流电流增益 hFE 最大值	150
高度	0.94 mm
长度	3 mm
宽度	1.5 mm
商标	ON Semiconductor
产品类型	BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased
工厂包装数量	3000
子类别	Transistors

商品其它信息

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推荐型号

型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
IPSA70R600CEAKMA1	Infineon Technologies	晶体管	PDF数据手册	MOSFET	1:¥7.0738 10:¥5.9212 100:¥3.8194 1,000:¥3.0623	参考库存:12410
FSAM50SM60A	ON Semiconductor / Fairchild	晶体管	PDF数据手册	IGBT 晶体管 600V -50A SMART POWER MODULE	1:¥458.6557 5:¥448.3614 10:¥430.8464 25:¥417.0152	参考库存:29482
IHW30N135R3FKSA1	Infineon Technologies	晶体管	PDF数据手册	IGBT 晶体管 IGBT PRODUCTS	1:¥38.8833 10:¥33.0412 100:¥28.6568 250:¥27.1991 500:¥24.3628	参考库存:6057
2SD1801T-TL-E	ON Semiconductor	晶体管	PDF数据手册	双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) BIP NPN 2A 50V	700:¥1.7515 2,100:¥1.7515 9,800:¥1.695 24,500:¥1.6159 49,700:¥1.5933	参考库存:29489
NVTFS5811NLWFTAG	ON Semiconductor	晶体管	PDF数据手册	MOSFET Pwr MOSFET 40V 40A 6.7mOhm SGL N-CH	1,500:¥4.2488 9,000:¥4.0906	参考库存:29494