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晶体管
DMN6069SE-13参考图片

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DMN6069SE-13

  • Diodes Incorporated
  • 新批次
  • MOSFET MOSFET BVDSS: 41V~60V SOT223 T&R 2.5K
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数量单价合计
1
¥3.6838
3.6838
10
¥3.1075
31.075
100
¥1.8984
189.84
1,000
¥1.469
1469
2,500
¥1.2543
3135.75
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
MOSFET
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-223-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
60 V
Id-连续漏极电流
4.3 A
Rds On-漏源导通电阻
69 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
16 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
11 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
商标
Diodes Incorporated
下降时间
5.3 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
6.7 ns
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
16 ns
典型接通延迟时间
3.8 ns
单位重量
112 mg
商品其它信息
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25:¥516.0597
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