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晶体管
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BSM25GD120DN2E3224

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数量单价合计
1
¥729.3698
729.3698
5
¥715.9906
3579.953
10
¥683.7178
6837.178
25
¥660.9822
16524.555
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 模块
RoHS
是
产品
IGBT Silicon Modules
配置
Hex
集电极—发射极最大电压 VCEO
1200 V
集电极—射极饱和电压
2.5 V
在25 C的连续集电极电流
35 A
栅极—射极漏泄电流
180 nA
Pd-功率耗散
200 W
封装 / 箱体
EconoPACK 2
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
封装
Tray
高度
17 mm
长度
107.5 mm
宽度
45 mm
商标
Infineon Technologies
安装风格
Chassis Mount
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
10
子类别
IGBTs
零件号别名
BSM25GD120DN2E3224BOSA1 SP000100361
商品其它信息
优势价格，BSM25GD120DN2E3224的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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100:¥22.2045
250:¥21.0519
1,000:¥15.9104
2,000:查看
参考库存:8638

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

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    保证原装正品

    物料均可追溯

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