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晶体管
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FP50R06W2E3

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数量单价合计
1
¥373.1373
373.1373
5
¥364.8318
1824.159
10
¥348.1643
3481.643
25
¥333.5647
8339.1175
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 模块
产品
IGBT Silicon Modules
配置
IGBT-Inverter
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
1.45 V
在25 C的连续集电极电流
65 A
栅极—射极漏泄电流
400 nA
Pd-功率耗散
175 W
封装 / 箱体
Module
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
封装
Tray
商标
Infineon Technologies
安装风格
SMD/SMT
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
15
子类别
IGBTs
零件号别名
FP50R06W2E3BOMA1 SP000375909
单位重量
39 g
商品其它信息
优势价格，FP50R06W2E3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
STD40NF03LT4
STMicroelectronics
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参考库存:26779
NVMFS5C430NWFT3G
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CMLDM7003T TR
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3,000:¥1.12209
6,000:¥1.12209
9,000:¥1.04525
24,000:¥0.99101
45,000:¥0.96841
99,000:¥0.92999
参考库存:26794

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    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

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