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晶体管
FDG6332C-F085P参考图片

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FDG6332C-F085P

  • ON Semiconductor
  • 新批次
  • MOSFET DUAL NP MOS SC70-6 20V
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数量单价合计
1
¥3.1527
3.1527
10
¥2.6668
26.668
100
¥1.6272
162.72
1,000
¥1.2656
1265.6
3,000
¥1.07576
3227.28
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
是
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SC-70-6
通道数量
2 Channel
晶体管极性
N-Channel, P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
20 V
Id-连续漏极电流
0.7 A, - 0.6 A
Rds On-漏源导通电阻
300 mOhms, 420 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
0.6 V, - 1.5 V
Vgs - 栅极-源极电压
12 V
Qg-栅极电荷
1.5 nC, 2 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
0.3 W
配置
Dual
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
封装
Cut Tape
封装
Reel
晶体管类型
1 N-Channel, 1 P-Channel
商标
ON Semiconductor
正向跨导 - 最小值
2.8 S, 1.8 S
下降时间
1.5 ns, 1.7 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
7 ns, 14 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
9 ns, 6 ns
典型接通延迟时间
5 ns, 5.5 ns
商品其它信息
优势价格，FDG6332C-F085P的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
NVJD5121NT1G
ON Semiconductor
晶体管
MOSFET NFET SC88 60V 295MA 1.6OH
1:¥2.9154
10:¥1.9888
100:¥0.82942
1,000:¥0.56839
3,000:¥0.44522
参考库存:149071
IRFD9014PBF
Vishay / Siliconix
晶体管
MOSFET P-CH -60V HEXFET MOSFET HEXDI
1:¥7.2998
10:¥5.8647
100:¥4.4522
500:¥3.6725
参考库存:25323
FDP86363-F085
ON Semiconductor / Fairchild
晶体管
MOSFET NMOS TO220 80V 2.8 MOHM
1:¥25.5154
10:¥21.6734
100:¥18.7467
250:¥17.8314
参考库存:4655
FDP55N06
ON Semiconductor / Fairchild
晶体管
MOSFET SINGLE N-CH 150V ULTRAFET TRENCH
1:¥12.2153
10:¥10.3734
100:¥7.9891
500:¥7.0964
1,000:¥5.5935
参考库存:10442
MMBFJ211
ON Semiconductor / Fairchild
晶体管
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 NCh RF Transistor
1:¥3.1527
10:¥2.3504
100:¥1.2769
1,000:¥0.9605
3,000:¥0.82264
9,000:¥0.77631
参考库存:12374

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    50万现货SKU

    品类不断扩充

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