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晶体管
STF12N120K5参考图片

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STF12N120K5

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • MOSFET N-channel 1200 V, 0.62 Ohm typ., 12 A MDmesh K5 Power MOSFET in TO-220FP package
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库存:9,004(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥74.0715
74.0715
10
¥66.9299
669.299
25
¥63.8563
1596.4075
100
¥55.4039
5540.39
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
1.2 kV
Id-连续漏极电流
12 A
Rds On-漏源导通电阻
690 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
5 V
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
Qg-栅极电荷
44.2 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
40 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
MDmesh
高度
4.6 mm
长度
16.4 mm
产品
Power MOSFET
系列
STF12N120K5
晶体管类型
1 N-Channel
类型
MDmesh K5
宽度
10.4 mm
商标
STMicroelectronics
下降时间
18.5 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
11 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
68.5 ns
典型接通延迟时间
23 ns
单位重量
330 mg
商品其它信息
优势价格,STF12N120K5的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET 250V N-Channel MOSFET
1:¥19.8993
10:¥16.9048
100:¥13.5261
500:¥11.8311
参考库存:15792
晶体管
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 DC-6.0GHz 10 Watt 28V GaN
1:¥617.7936
25:¥522.8962
100:¥442.5984
参考库存:3949
晶体管
IGBT 晶体管 600V, 40A Field Stop IGBT
1:¥38.8042
10:¥32.9621
100:¥28.589
250:¥27.12
500:¥24.2837
参考库存:9796
晶体管
MOSFET 60V P-Ch PowerTrench
1:¥5.3788
10:¥4.5313
100:¥2.9154
1,000:¥2.3391
2,500:¥2.3391
参考库存:108033
晶体管
MOSFET -20V -5.4A P-Channel
1:¥5.2206
10:¥4.2827
100:¥2.7685
1,000:¥2.2148
2,500:¥1.8758
参考库存:73765
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

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