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晶体管
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FGB40T65SPD-F085

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1
¥27.0522
27.0522
10
¥22.9729
229.729
100
¥19.8993
1989.93
250
¥18.9049
4726.225
500
¥16.9048
8452.4
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
是
技术
Si
封装 / 箱体
TO-263-3
安装风格
SMD/SMT
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
650 V
集电极—射极饱和电压
2.9 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
80 A
Pd-功率耗散
267 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
FGB40T65SPD
资格
AEC-Q101
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
集电极最大连续电流 Ic
80 A
商标
ON Semiconductor / Fairchild
栅极—射极漏泄电流
+/- 400 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
800
子类别
IGBTs
零件号别名
FGB40T65SPD_F085
单位重量
1.312 g
商品其它信息
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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500:¥155.2959
参考库存:31409

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