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晶体管
NGTB15N60S1EG参考图片

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NGTB15N60S1EG

  • ON Semiconductor
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 15A 600V IGBT
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库存:7,615(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥11.8311
11.8311
10
¥10.0683
100.683
100
¥8.0682
806.82
500
¥7.0625
3531.25
1,000
¥5.8534
5853.4
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-220-3
安装风格
Through Hole
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
1.7 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
30 A
Pd-功率耗散
47 W
系列
NGTB15N60S1
封装
Tube
商标
ON Semiconductor
栅极—射极漏泄电流
100 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
50
子类别
IGBTs
单位重量
2.300 g
商品其它信息
优势价格,NGTB15N60S1EG的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET Power FREDFET - MOS5
1:¥267.9456
5:¥257.4931
10:¥247.809
25:¥227.6724
参考库存:3416
晶体管
MOSFET -30V Vds 12V Vgs PowerPAK SC-70
1:¥4.9155
10:¥3.9776
100:¥3.0171
500:¥2.486
1,000:¥2.0001
3,000:¥1.808
参考库存:26043
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) GP Amplification Trans
1:¥1.3108
10:¥1.1865
100:¥0.42262
1,000:¥0.28476
3,000:¥0.2147
参考库存:66290
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 140V PNP Low Sat
1:¥6.5314
10:¥5.4805
100:¥3.5369
1,000:¥2.825
参考库存:22247
晶体管
MOSFET -30V Vds 20V Vgs SO-8
1:¥6.9947
10:¥5.6387
100:¥4.2827
500:¥3.5369
1,000:¥2.825
2,500:¥2.5651
参考库存:28324
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

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    保证原装正品

    物料均可追溯

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