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晶体管
IKB15N65EH5ATMA1参考图片

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IKB15N65EH5ATMA1

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 Infineon s 650 V, 15 A hard-switching TRENCHSTOP 5 IGBT in a TO263 D2Pak package, redefines Best-in-class IGBT by providing unmatched performance in terms of efficiency for hard switching applications. The new family is a major breakthrough in IGBT i
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数量单价合计
1
¥20.7468
20.7468
10
¥17.5941
175.941
100
¥15.2889
1528.89
250
¥14.4414
3610.35
3,000
¥10.3734
31120.2
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
是
技术
Si
封装 / 箱体
TO-263-3
安装风格
SMD/SMT
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
650 V
集电极—射极饱和电压
1.65 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
30 A
Pd-功率耗散
105 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
650V TRENCHSTOP 5
封装
Cut Tape
封装
Reel
集电极最大连续电流 Ic
30 A
商标
Infineon Technologies
栅极—射极漏泄电流
100 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
1000
子类别
IGBTs
商标名
TRENCHSTOP
零件号别名
IKB15N65EH5 SP001502570
商品其它信息
优势价格，IKB15N65EH5ATMA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
DTC115EUAT106
ROHM Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 NPN 50V 20MA
1:¥1.4577
10:¥1.2882
100:¥0.45313
1,000:¥0.30736
3,000:¥0.23052
参考库存:31720
PMBF4393,215
NXP Semiconductors
晶体管
JFET JFET N-CH 40V 100mA
1:¥3.3787
10:¥3.0171
25:¥2.7233
100:¥2.3843
3,000:¥1.2995
6,000:查看
参考库存:91462
ARF469AG
Microsemi
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS)
1:¥403.2518
2:¥392.3473
5:¥381.5106
10:¥370.5948
参考库存:4639
BCR 192 E6327
Infineon Technologies
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 PNP Silicon Digital TRANSISTOR
1:¥1.4577
10:¥1.3221
100:¥0.46895
1,000:¥0.30736
3,000:¥0.23843
参考库存:94976
TIP32-BP
Micro Commercial Components (MCC)
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 3.0A 40V
1:¥4.9946
10:¥3.8646
100:¥3.3787
250:¥2.938
参考库存:9518

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