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晶体管
IKW40N60H3参考图片

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IKW40N60H3

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库存:6,194(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥40.1828
40.1828
10
¥34.1938
341.938
100
¥29.5834
2958.34
250
¥28.1257
7031.425
500
¥25.199
12599.5
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
1.95 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
80 A
Pd-功率耗散
306 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
HighSpeed 3
封装
Tube
高度
20.7 mm
长度
15.87 mm
宽度
5.31 mm
商标
Infineon Technologies
栅极—射极漏泄电流
100 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
240
子类别
IGBTs
商标名
TRENCHSTOP
零件号别名
IKW40N60H3FKSA1 IKW4N6H3XK SP000769928
单位重量
6.500 g
商品其它信息
优势价格,IKW40N60H3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET 40V, 195A, 1.25 mOhm 180 nC Qg, Logic Lvl
1:¥21.8203
10:¥18.5998
100:¥16.0573
250:¥15.2889
参考库存:11295
晶体管
MOSFET N-CHANNEL_55/60V
1:¥9.1417
10:¥7.8422
100:¥6.0342
500:¥5.3449
2,500:¥3.729
10,000:查看
参考库存:123877
晶体管
MOSFET 30V Vds 16V Vgs PowerPAK 1212-8S
1:¥11.9102
10:¥9.831
100:¥7.571
500:¥6.5088
1,000:¥5.1415
3,000:¥5.1415
参考库存:32079
晶体管
MOSFET
1:¥6.6896
10:¥5.7404
100:¥4.407
500:¥3.8985
1,000:¥3.0736
4,000:¥3.0736
参考库存:24011
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 PDTD123YQA/DFN1010D-3/REEL 7
1:¥2.6103
10:¥1.7628
100:¥0.73789
1,000:¥0.49946
5,000:¥0.39211
参考库存:52188
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

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