您好!欢迎来到维基芯城 登录 注册

产品分类

晶体管
FS30R06W1E3参考图片

图片仅供参考, 请参阅产品规格

  • 分享到:
  • 0

FS30R06W1E3

购买、咨询产品请填写询价信息
询价型号*数量*批号封装品牌其它要求
请确认联系方式,3分钟内即可给您回复
  • 公司名:
  • *联系人:
  • *电话:
  • *邮箱:
   微信:      QQ:
库存:3,881(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥223.6835
223.6835
5
¥221.3783
1106.8915
10
¥206.3154
2063.154
25
¥197.0946
4927.365
询价数量:
加入询价单立即询价
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 模块
RoHS
产品
IGBT Silicon Modules
配置
Hex
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
2 V
在25 C的连续集电极电流
45 A
栅极—射极漏泄电流
400 nA
Pd-功率耗散
150 W
封装 / 箱体
EASY1B
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
封装
Tray
高度
12 mm
长度
62.8 mm
宽度
33.8 mm
商标
Infineon Technologies
安装风格
Chassis Mount
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
24
子类别
IGBTs
零件号别名
FS30R06W1E3BOMA1 SP000223650
单位重量
24 g
商品其它信息
优势价格,FS30R06W1E3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET N-Ch 30V FET 18A 1.9W 2400pF
3,000:¥6.0907
6,000:¥5.8534
9,000:¥5.6274
参考库存:28871
晶体管
MOSFET P-CH Enhancmnt Mode MOSFET
2,000:¥3.6725
4,000:¥3.3561
10,000:¥3.2657
参考库存:28876
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 200MW 0.47K
3,000:¥0.36838
9,000:¥0.31527
24,000:¥0.29945
45,000:¥0.27685
参考库存:28881
晶体管
MOSFET FCP11N60N, in TO220 F102 T/F option
800:¥13.1419
1,600:¥10.9158
3,200:¥10.1474
5,600:¥9.7632
参考库存:28886
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 1W 300V
2,500:¥1.11418
参考库存:28891
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

深圳市维基鸿电子有限公司

电话:13148740189

手机:13590238352

传真:0755-82563613

Email: 1076822082@QQ.COM

Q Q:

地址:赛格科技园2栋1008


微信联系我们

深圳市维基鸿电子有限公司版权所有©2018-2024 粤ICP备2022041120号

24小时在线客服
热线电话

0755-82563613

微信联系我们 微信扫码联系我们