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晶体管
FF300R07ME4_B11参考图片

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FF300R07ME4_B11

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数量单价合计
1
¥882.1232
882.1232
5
¥864.7551
4323.7755
10
¥824.4932
8244.932
25
¥807.1251
20178.1275
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 模块
RoHS
产品
IGBT Silicon Modules
配置
Dual
集电极—发射极最大电压 VCEO
650 V
集电极—射极饱和电压
1.55 V
在25 C的连续集电极电流
390 A
栅极—射极漏泄电流
100 nA
Pd-功率耗散
1100 W
封装 / 箱体
Module
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
封装
Tray
商标
Infineon Technologies
安装风格
SMD/SMT
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
6
子类别
IGBTs
零件号别名
FF300R07ME4B11BOSA1 SP000725486
商品其它信息
优势价格,FF300R07ME4_B11的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT 7.9-9.6GHz, 50 Watt
暂无价格
参考库存:38823
晶体管
JFET JFET
100:¥741.4269
参考库存:38828
晶体管
MOSFET N-Ch 650V 0.098 Ohm 29 A MDmesh M5
1:¥65.9242
10:¥59.6301
25:¥56.8616
100:¥49.3358
参考库存:14678
晶体管
MOSFET Small-Signal BJT
100:¥450.2824
参考库存:38835
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
213:¥40.7252
250:¥36.8041
500:¥33.0412
1,000:¥27.8206
参考库存:38840
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

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    科技智能大仓储

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