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晶体管
BSC028N06LS3GATMA1参考图片

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BSC028N06LS3GATMA1

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch 60V 100A TDSON-8 OptiMOS 3
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库存:22,998(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥19.21
19.21
10
¥16.3624
163.624
100
¥13.0628
1306.28
500
¥11.4469
5723.45
1,000
¥9.4468
9446.8
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PG-TDSON-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
60 V
Id-连续漏极电流
100 A
Rds On-漏源导通电阻
2.8 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.2 V
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
132 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
139 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
OptiMOS
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.27 mm
长度
5.9 mm
系列
OptiMOS 3
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
5.15 mm
商标
Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值
60 S
下降时间
19 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
17 ns
工厂包装数量
5000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
77 ns
典型接通延迟时间
19 ns
零件号别名
BSC028N06LS3 BSC28N6LS3GXT G SP000453652
单位重量
100 mg
商品其它信息
优势价格,BSC028N06LS3GATMA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET N-CHANNEL 75/80V
1:¥37.6516
10:¥31.9677
100:¥27.7415
250:¥26.2838
1,000:¥19.8993
2,000:查看
参考库存:8891
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 20A 140V 250W NPN
1:¥53.7089
10:¥48.5674
50:¥46.2622
100:¥40.1828
参考库存:15988
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Transistor
1:¥737.664
10:¥614.72
25:¥553.248
50:¥491.776
参考库存:4845
晶体管
MOSFET MOSFT 100V 290A 2.6mOhm 360nC Qg
1:¥58.7826
10:¥53.1778
25:¥50.6353
100:¥44.0248
参考库存:12917
晶体管
MOSFET TO-252 DPAK P-CH 60V
1:¥4.4522
10:¥3.7177
100:¥2.3956
1,000:¥1.9097
2,500:¥1.7176
参考库存:118519
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

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    科技智能大仓储

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