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晶体管
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FDBL86062-F085

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数量单价合计
1
¥39.0302
39.0302
10
¥33.1203
331.203
100
¥28.7359
2873.59
250
¥27.2782
6819.55
2,000
¥20.5886
41177.2
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
H-PSOF-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
100 V
Id-连续漏极电流
300 A
Rds On-漏源导通电阻
1.5 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
124 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
429 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
系列
FDBL86062_F085
晶体管类型
1 N-Channel
商标
ON Semiconductor / Fairchild
下降时间
9 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
25 ns
工厂包装数量
2000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
36 ns
典型接通延迟时间
31 ns
零件号别名
FDBL86062_F085
单位重量
850.052 mg
商品其它信息
优势价格，FDBL86062-F085的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
FT150R12KE3G_B4
Infineon Technologies
晶体管
IGBT 模块 N-CH 1.2KV 200A
1:¥1,627.3921
5:¥1,588.2828
10:¥1,548.7893
25:¥1,527.1159
参考库存:25653
TSM4925DCS RLG
Taiwan Semiconductor
晶体管
MOSFET Dual 30V P channel Mosfet
1:¥9.831
10:¥8.6784
100:¥6.893
500:¥5.3449
2,500:¥3.8307
5,000:查看
参考库存:25658
RJH60D1DPE-00#J3
Renesas Electronics
晶体管
IGBT 晶体管 IGBT
1,000:¥10.9836
2,000:¥10.4525
参考库存:25663
SH8M3TB1
ROHM Semiconductor
晶体管
MOSFET Nch+Pch 30V/-30V 5A/-4.5A; MOSFET
1:¥6.6896
10:¥5.6613
100:¥4.3505
500:¥3.842
2,500:¥2.6894
10,000:查看
参考库存:25668
IPZ60R017C7XKSA1
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET
1:¥155.375
5:¥153.7591
10:¥143.3066
25:¥136.8543
参考库存:4969

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

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    科技智能大仓储

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