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晶体管
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IGW25N120H3FKSA1

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库存：6,198(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥42.1829
42.1829
10
¥35.8888
358.888
100
¥31.1202
3112.02
250
¥29.5043
7376.075
500
¥26.4307
13215.35
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
是
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
1200 V
集电极—射极饱和电压
2.05 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
50 A
Pd-功率耗散
326 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
HighSpeed 3
封装
Tube
商标
Infineon Technologies
栅极—射极漏泄电流
600 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
240
子类别
IGBTs
商标名
TRENCHSTOP
零件号别名
IGW25N120H3 IGW25N12H3XK SP000674424
单位重量
4.430 g
商品其它信息
优势价格，IGW25N120H3FKSA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
SUP70060E-GE3
Vishay / Siliconix
晶体管
MOSFET 100V Vds 20V Vgs TO-220
1:¥16.0573
10:¥13.3679
100:¥10.3734
500:¥9.0626
参考库存:5574
DMP3010LPSQ-13
Diodes Incorporated
晶体管
MOSFET FET BVDSS 25V-30V P-Ch 36A 7.5Vgs 6324
1:¥8.0682
10:¥6.8817
100:¥5.2997
500:¥4.6782
1,000:¥3.6838
2,500:¥3.6838
参考库存:21351
SIR618DP-T1-GE3
Vishay / Siliconix
晶体管
MOSFET 200V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
1:¥8.9157
10:¥7.3789
100:¥5.6726
500:¥4.8703
1,000:¥3.8533
3,000:¥3.8533
参考库存:6538
NVMD6P02R2G
ON Semiconductor
晶体管
MOSFET PFET SO8 20V 7.8A 33MOHM
1:¥11.3678
10:¥9.6841
100:¥7.4919
500:¥6.6218
2,500:¥4.633
10,000:查看
参考库存:14075
RK7002BMHZGT116
ROHM Semiconductor
晶体管
MOSFET Nch 60V Vds 0.25A 3Rds(on) SOT-23
1:¥1.5368
10:¥1.3899
100:¥0.49155
1,000:¥0.32996
3,000:¥0.25312
参考库存:50247

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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