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晶体管
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TIP35C

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Gen Pur Power
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库存：14,120(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥15.0629
15.0629
10
¥12.8368
128.368
100
¥10.2152
1021.52
500
¥8.9948
4497.4
询价数量：
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
是
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-247-3
晶体管极性
NPN
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
100 V
集电极—基极电压 VCBO
100 V
发射极 - 基极电压 VEBO
5 V
集电极—射极饱和电压
1.8 V
最大直流电集电极电流
25 A
增益带宽产品fT
3 MHz
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
TIP35C
高度
20.15 mm
长度
15.75 mm
宽度
5.15 mm
商标
STMicroelectronics
集电极连续电流
25 A
Pd-功率耗散
125 W
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
600
子类别
Transistors
单位重量
6.500 g
商品其它信息
优势价格，TIP35C的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
SP000934758
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET N-Ch 30V,30V 40A,40A TISON-8
5,000:¥3.5256
10,000:¥3.4013
25,000:¥3.2883
参考库存:34493
PXAC203302FV-V1-R0
Wolfspeed / Cree
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
250:¥1,121.864
参考库存:34498
PTFB210801FA-V1-R250
Wolfspeed / Cree
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
250:¥383.6576
参考库存:34503
STI47N60DM6AG
STMicroelectronics
晶体管
MOSFET Automotive N-channel 600 V, 0.070 typ., 36 A MDmesh DM6 Power MOSFET in an I PAK package
1:¥48.4092
10:¥41.1094
100:¥35.6515
250:¥33.8096
参考库存:8244
TSM2N60ECH C5G
Taiwan Semiconductor
晶体管
MOSFET 600V 2Amp N channel Power Mosfet
15,000:¥2.2713
24,375:¥2.2148
参考库存:34510

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

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    科技智能大仓储

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