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晶体管
IAUT200N08S5N023ATMA1参考图片

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IAUT200N08S5N023ATMA1

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库存:12,688(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥30.51
30.51
10
¥25.8996
258.996
100
¥22.4418
2244.18
250
¥21.2892
5322.3
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
HSOF-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
80 V
Id-连续漏极电流
200 A
Rds On-漏源导通电阻
2.3 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2.2 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
110 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
200 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
Reel
商标
Infineon Technologies
下降时间
32 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
11 ns
工厂包装数量
2000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
30 ns
典型接通延迟时间
16 ns
零件号别名
SP001688332
商品其它信息
优势价格,IAUT200N08S5N023ATMA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP Silicon Hi-Volt TRANSISTORS
1:¥2.9154
10:¥1.9888
100:¥0.82942
1,000:¥0.56839
3,000:¥0.44522
参考库存:23284
晶体管
MOSFET Power MOSFET, N-CHL, 30V, 61A, 8.8mOhm
1:¥5.2997
10:¥4.6895
100:¥3.5934
500:¥2.6555
2,500:¥1.8758
5,000:查看
参考库存:4251
晶体管
MOSFET T6 40V NCH LL IN SO8
1:¥8.4524
10:¥7.2659
100:¥5.5822
500:¥4.9381
1,500:¥3.4465
9,000:查看
参考库存:4703
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP Audio Amp VCEO -120V HFE 700
1:¥3.0736
10:¥2.0001
100:¥0.83733
1,000:¥0.56839
3,000:¥0.43053
参考库存:106505
晶体管
IGBT 晶体管 430V LOW-VCEON DISCRETE IGBT
1:¥20.7468
10:¥17.5941
100:¥14.1363
500:¥12.3735
参考库存:35762
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

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    科技智能大仓储

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