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晶体管
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IGP50N60T

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 LOW LOSS IGBT TECH 600V 50A
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库存：4,775(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥33.5045
33.5045
10
¥28.5099
285.099
100
¥24.6679
2466.79
250
¥23.4362
5859.05
询价数量：
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
是
技术
Si
封装 / 箱体
TO-220-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
1.5 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
90 A
Pd-功率耗散
333 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
TRENCHSTOP IGBT
封装
Tube
高度
9.25 mm
长度
10 mm
宽度
4.4 mm
商标
Infineon Technologies
栅极—射极漏泄电流
100 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
500
子类别
IGBTs
商标名
TRENCHSTOP
零件号别名
IGP50N60TXKSA1 IGP5N6TXK SP000683046
单位重量
6 g
商品其它信息
优势价格，IGP50N60T的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
BSS84AKW,115
Nexperia
晶体管
MOSFET P-CH -50 V -150 mA
1:¥2.9154
10:¥1.9888
100:¥0.82942
1,000:¥0.56839
3,000:¥0.44522
参考库存:434020
HFA3096BZ96
Renesas / Intersil
晶体管
射频(RF)双极晶体管 W/ANNEAL TXARRAY 3X NPN 2X PNP 16N
1:¥62.4664
10:¥56.4774
25:¥53.8671
100:¥46.7142
2,500:¥34.1147
参考库存:11507
2N2102
Central Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Ampl/Switch
1:¥16.2155
10:¥14.3736
100:¥11.526
500:¥10.0683
参考库存:12264
NJW1302G
ON Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 200W TO-3P PNP
1:¥27.0522
10:¥22.9729
100:¥19.8993
250:¥18.9049
参考库存:4881
IRLTS6342TRPBF
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET 30V 8.3A 17.5mOhm 2.5V drive capable
1:¥3.2996
10:¥2.7798
100:¥1.695
1,000:¥1.3108
3,000:¥1.11418
参考库存:166148

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    50万现货SKU

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