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晶体管
STGB20M65DF2参考图片

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STGB20M65DF2

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V 20 A low loss
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库存:6,939(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥19.21
19.21
10
¥16.2946
162.946
100
¥13.0628
1306.28
500
¥11.3678
5683.9
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
D2PAK-3
安装风格
SMD/SMT
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
650 V
集电极—射极饱和电压
1.55 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
40 A
Pd-功率耗散
166 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
STGB20M65DF2
集电极最大连续电流 Ic
40 A
商标
STMicroelectronics
栅极—射极漏泄电流
250 uA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
1000
子类别
IGBTs
商品其它信息
优势价格,STGB20M65DF2的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET UniFET 500V 3A
1:¥11.1418
10:¥9.5259
100:¥7.2772
500:¥6.4297
2,500:¥4.4974
10,000:查看
参考库存:13427
晶体管
MOSFET 600V NCH FRFET
1:¥26.2838
10:¥22.3627
100:¥19.3682
250:¥18.3625
500:¥16.5206
800:¥14.2945
参考库存:6384
晶体管
MOSFET P-Ch -40V -120A D2PAK-2 OptiMOS-P2
1:¥17.8992
10:¥15.2098
100:¥12.1362
500:¥10.5994
1,000:¥8.7575
参考库存:21886
晶体管
MOSFET 30V 4.5A 1.66W 50mohm @ 10V
1:¥4.5313
10:¥3.6838
100:¥2.8024
500:¥2.3052
1,000:¥1.8419
3,000:¥1.6724
参考库存:113313
晶体管
MOSFET P-Ch -40V -80A D2PAK-2 OptiMOS-P2
1:¥11.6842
10:¥9.9892
100:¥7.6727
500:¥6.78
1,000:¥5.3562
参考库存:27040
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

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    明码标价节省时间成本

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