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晶体管
BSL215C H6327参考图片

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BSL215C H6327

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数量单价合计
1
¥4.3844
4.3844
10
¥3.6499
36.499
100
¥2.2261
222.61
1,000
¥1.7176
1717.6
3,000
¥1.469
4407
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TSOP-6
通道数量
2 Channel
晶体管极性
N-Channel, P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
20 V
Id-连续漏极电流
1.5 A
Rds On-漏源导通电阻
108 mOhms, 102 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
700 mV, 1.2 V
Vgs - 栅极-源极电压
12 V
Qg-栅极电荷
730 pC, - 3 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
500 mW (1/2 W)
配置
Dual
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.1 mm
长度
3 mm
系列
BSL215
晶体管类型
1 N-Channel, 1 P-Channel
宽度
1.5 mm
商标
Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值
4 S, 4.5 S
下降时间
1.4 ns, 14 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
7.6 ns, 9.7 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
6.8 ns, 14.5 ns
典型接通延迟时间
4.1 ns, 6.7 ns
零件号别名
BSL215CH6327XTSA1 SP001101000
单位重量
15 mg
商品其它信息
优势价格,BSL215C H6327的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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