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晶体管
DMC4047LSD-13参考图片

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DMC4047LSD-13

  • Diodes Incorporated
  • 新批次
  • MOSFET FET BVDSS 31V 40V 1.3W 1180pF 21.3nC
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数量单价合计
1
¥4.4522
4.4522
10
¥3.729
37.29
100
¥2.4069
240.69
1,000
¥1.9323
1932.3
2,500
¥1.9323
4830.75
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SO-8
通道数量
2 Channel
晶体管极性
N-Channel, P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
40 V
Id-连续漏极电流
6.9 A, 4.5 A
Rds On-漏源导通电阻
32 mOhms, 55 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2.2 V, 2.4 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
19.1 nC, 21.5 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
1.8 W
配置
Dual
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
系列
DMC4047
晶体管类型
1 N-Channel, 1 P-Channel
商标
Diodes Incorporated
下降时间
4.8 ns, 25.5 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
7.1 ns, 19.6 ns
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
15.1 ns, 34.9 ns
典型接通延迟时间
5.3 ns, 8.7 ns
单位重量
74 mg
商品其它信息
优势价格,DMC4047LSD-13的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP Super E-Line
1:¥8.0682
10:¥6.9043
100:¥5.311
500:¥4.6895
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1:¥7.6049
10:¥6.4523
100:¥4.9833
250:¥4.9833
500:¥4.3957
参考库存:11745
晶体管
MOSFET 30V,NCh NexFET Pwr MOSFET
1:¥8.9948
10:¥7.684
100:¥5.8873
250:¥5.8873
500:¥5.198
参考库存:10067
晶体管
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1:¥21.0519
10:¥17.8992
100:¥14.3736
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参考库存:3794
晶体管
达林顿晶体管 NPN Power Darlington
1:¥6.3732
10:¥5.3449
100:¥3.4465
1,000:¥2.7685
参考库存:18286
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

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