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晶体管
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STGW25H120F2

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 Trench gate field-stop IGBT, H series 1200 V, 25 A high speed
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数量单价合计
1
¥60.3194
60.3194
10
¥54.4773
544.773
25
¥51.9461
1298.6525
100
¥45.1096
4510.96
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
是
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
1200 V
集电极—射极饱和电压
2.1 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
50 A
Pd-功率耗散
375 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
STGW25H120F2
封装
Tube
集电极最大连续电流 Ic
25 A
商标
STMicroelectronics
栅极—射极漏泄电流
250 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
600
子类别
IGBTs
单位重量
38 g
商品其它信息
优势价格，STGW25H120F2的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
NST847BPDP6T5G
ON Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) DUAL COMP GP TRANS SOT963
1:¥3.2318
10:¥2.0453
100:¥0.87575
1,000:¥0.67574
8,000:¥0.45313
24,000:查看
参考库存:72942
NSBC114YDP6T5G
ON Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 SOT-963 DUAL NBRT
1:¥2.6894
10:¥2.0453
100:¥1.10627
1,000:¥0.82942
2,500:¥0.71416
8,000:¥0.66896
参考库存:26709
2DD1664P-13
Diodes Incorporated
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 1000W 32Vceo
1:¥3.616
10:¥2.7233
100:¥1.4803
1,000:¥1.10627
2,500:¥0.95259
10,000:¥0.89157
参考库存:26576
TIP48G
ON Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 1A 300V 40W NPN
1:¥5.4579
10:¥4.4748
100:¥2.8928
1,000:¥2.3165
参考库存:5708
DRA9143Z0L
Panasonic
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 TRANS W/ BLT-IN RES FLT LD 1.6x1.6mm
1:¥3.2318
10:¥1.5707
100:¥1.08367
500:¥0.88366
3,000:¥0.56048
9,000:查看
参考库存:15935

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    50万现货SKU

    品类不断扩充

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