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晶体管

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FP40R12KE3G

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库存:5,080(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥862.4499
862.4499
5
¥846.6186
4233.093
10
¥808.515
8085.15
25
¥781.5419
19538.5475
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 模块
RoHS
配置
Hex
集电极—发射极最大电压 VCEO
1200 V
集电极—射极饱和电压
2.3 V
在25 C的连续集电极电流
40 A
栅极—射极漏泄电流
400 nA
Pd-功率耗散
200 W
封装 / 箱体
EconoPIM3-24
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 125 C
封装
Tray
高度
17 mm
长度
122 mm
宽度
62 mm
商标
Infineon Technologies
安装风格
Chassis Mount
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
10
子类别
IGBTs
零件号别名
FP40R12KE3GBOSA1 SP000100420
单位重量
308 g
商品其它信息
优势价格,FP40R12KE3G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET Power MOSFET N-Channel
1:¥71.6872
10:¥64.5456
25:¥58.7826
50:¥57.3249
参考库存:17241
晶体管
MOSFET N-CH 500V HEXFET MOSFET
1:¥30.8151
参考库存:30813
晶体管
MOSFET N-Ch Digital
1:¥2.9154
10:¥2.0001
100:¥0.83733
1,000:¥0.56839
3,000:¥0.44522
参考库存:880990
晶体管
MOSFET 1700V 3.7A N-MOSFET Silicon Carbide SiC
1:¥45.6407
10:¥41.2676
25:¥39.3466
100:¥34.1938
250:¥32.657
参考库存:6467
晶体管
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 DC-2.5GHz 45W Gain 16.5dB GaN HEMT
1:¥562.0846
2:¥552.9429
5:¥541.1118
10:¥532.4221
参考库存:4374
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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