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晶体管
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FS20R06VE3

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数量单价合计
1
¥150.2222
150.2222
5
¥148.6854
743.427
10
¥138.538
1385.38
25
¥132.323
3308.075
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 模块
产品
IGBT Silicon Modules
配置
IGBT-Inverter
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
1.55 V
在25 C的连续集电极电流
25 A
栅极—射极漏泄电流
400 nA
Pd-功率耗散
71.5 W
封装 / 箱体
Module
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
封装
Tray
商标
Infineon Technologies
安装风格
SMD/SMT
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
40
子类别
IGBTs
零件号别名
FS20R06VE3BOMA1 SP000100335
单位重量
10 g
商品其它信息
优势价格,FS20R06VE3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) SWITCHING DEVICE
1:¥3.4578
10:¥2.8476
100:¥1.7402
1,000:¥1.3447
3,000:¥1.1413
参考库存:17988
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双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN 50V 0.15A SOT-323
1:¥1.5368
10:¥1.3899
100:¥0.49155
1,000:¥0.32996
3,000:¥0.25312
参考库存:168810
晶体管
MOSFET 600V N-Channel Adv Q-FET C-Series
1:¥5.3788
10:¥4.4409
100:¥2.8702
1,000:¥2.2939
参考库存:9327
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) USM PLN TRANSISTOR Pd=100mW F=80MHz
1:¥1.4577
10:¥1.1865
100:¥0.42262
1,000:¥0.29154
3,000:¥0.2147
参考库存:152424
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP Epitaxial Sil
1:¥4.5313
10:¥3.7177
100:¥2.4069
1,000:¥1.921
参考库存:9526
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

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    保证原装正品

    物料均可追溯

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